规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
5,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
19A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
2.6 mOhm @ 20A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
26nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
1700pF @ 15V |
功率 - 最大 |
2.1W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
8-PowerTDFN |
供应商器件封装 |
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
8TSDSON EP |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
34 V |
最大连续漏极电流 |
9 A |
RDS -于 |
12@10V mOhm |
最大门源电压 |
20 V |
典型导通延迟时间 |
4.5 ns |
典型上升时间 |
2.2 ns |
典型关闭延迟时间 |
16 ns |
典型下降时间 |
2 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
P( TOT ) |
25W |
匹配代码 |
BSZ0909NS |
R( THJC ) |
5K/W |
LogicLevel |
YES |
单位包 |
5000 |
标准的提前期 |
21 weeks |
最小起订量 |
5000 |
Q(克) |
6.6nC |
LLRDS (上) |
0.0176Ohm |
汽车 |
NO |
LLRDS (上)在 |
4.5V |
我(D ) |
37A |
V( DS ) |
30V |
的RDS(on ) at10V |
0.0115Ohm |
无铅Defin |
RoHS-conform |
FET特点 |
Logic Level Gate |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
9A 36A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
供应商设备封装 |
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
2.6 mOhm @ 20A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
2.1W |
标准包装 |
5,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
1700pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
26nC @ 10V |
封装/外壳 |
8-PowerTDFN |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
BSZ0909NSCT |
安装风格 |
SMD/SMT |
配置 |
Single Quad Drain Triple Source |
晶体管极性 |
N-Channel |
最低工作温度 |
- 55 C |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
36 A |
系列 |
BSZ0909 |
RDS(ON) |
12 mOhms |
功率耗散 |
25 W |
商品名 |
OptiMOS |
封装/外壳 |
TDSON-8 |
栅极电荷Qg |
6.1 nC |
零件号别名 |
BSZ0909NSATMA1 SP000832568 |
上升时间 |
2.2 nS |
最高工作温度 |
+ 150 C |
漏源击穿电压 |
34 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
2 nS |